原子級微觀加工技術

　　從半導體技術的發(fā)展進程中，可以清楚地看到一條脈絡，就是器件越做越小。1950年前后，一個晶體管的面積約為3平方厘米，加工圖形的線條寬度和最小線條間距為幾百微米；1970年在同樣的面積上可做1500只晶體管，加工線條為5微米左右；目前利用超精細加工技術，一個管子的面積可小到 20 X 20平方微米以下；預計到1980年，在3平方厘米面積上可做7萬只晶體管，加工線條為1微米以下。從60年代起，小型化技術已進入了集成化時代。目前發(fā)展到超大規(guī)模集成階段，突破了每個芯片容納10萬個元件的記錄。

　　根據(jù)目前發(fā)展趨勢，半導體材料和器件的微型化加工技術，在80年代發(fā)展到亞微米級（0．l－l微米）是毫無疑義的了。而且預計到本世紀未有可能進入原子級加工階段。當前半導體技術的發(fā)展狀況，已經顯露各種苗頭。如利用分子束外延技術，可以按一層一層原子進行單晶材料生長；利用等離子和離子束刻蝕技術，可以把材料的原子一個一個刻蝕剝掉；利用電子束曝光技術，可以曝光成80埃的線條圖形。

　　原子級加工技術一旦突破，將使半導體技術學科出現(xiàn)一次新的大飛躍�，F(xiàn)在的半導體器件和集成電路，是以對材料的宏觀性質的精確控制為基礎的。而原子級加工的實現(xiàn)，則意味著要以對材料的微觀性質的控制為基礎。這樣重大的變革將使現(xiàn)有的器件和集成電路理論不再適用，需要建立別開生面的新理論體系，研究新的器件設計思想和工藝方案，甚至有可能出現(xiàn)新的學科領域。

　　原子級加工是在微觀世界中進行材料和器件加工，它必將對其他學科領域產生重大影響。